GB/T 33657-2017 纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范

显示全部楼层 · 2017-5-13 01:19

标准号：GB/T 33657-2017
实施状态：现行
中文名称：纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
英文名称：Nanotechnologies. Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells
组织分类：GB
中标分类：L56
ICS分类：31.200
标准分类：CN
发布日期：2017-05-12
实施日期：2017-12-01
归口单位：全国纳米技术标准化技术委员会
起草单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
范围：本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100 nm的相变存储单元，100 nm～300 nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。
文件格式：PDF
文件大小：1.77MB
文件页数：13
（以上信息更新时间为：2019-03-23）

标准全文下载：

GB_T 33657-2017 纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范.pdf (1.77 MB)

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