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[国家标准] GB/T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法

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查看7694 | 回复4 | 2016-12-9 17:09 | 显示全部楼层 |阅读模式
标准号：GB/T 33236-2016
实施状态：现行
中文名称：多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法
英文名称：Polycrystalline silicon. Determination of trace elements. Glow discharge mass spectrometry method
组织分类：GB
中标分类：G04
ICS分类：71.040.40
标准分类：CN
发布日期：2016-12-13
实施日期：2017-11-01
作废日期：    -  -
归口单位：全国微束分析标准化技术委员会
起草单位：中国科学院上海硅酸盐研究所
范围：本标准规定了采用辉光放电质谱（GD-MS)法测量多晶硅中杂质元素的测试方法。本标准适用于多晶硅材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定，测量范围是本方法的检出限至0.1%（质量分数），检出限根据所用仪器及测量条件确定。通过合适的标准样品校正，也可以测量质量分数大于0.1％的杂质元素含量。单晶硅材料中痕量杂质元素也可参照本标准测量。
文件格式：PDF
文件大小：868.63KB
文件页数：13
（以上信息更新时间为：2019-03-24）

标准全文下载：
GB_T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法.pdf (868.63 KB)
332362016, 多晶硅, 痕量元素, 元素化学, 化学分析

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