[国家标准] GB/T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

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查看2988 | 回复5 | 2016-4-26 06:42 | 显示全部楼层 |阅读模式
标准号:GB/T 13539.4-2016
实施状态:现行
中文名称:低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求
英文名称:Low-voltage fuses. Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices
组织分类:GB
中标分类:K31
ICS分类:29.120.50
标准分类:CN
发布日期:2016-04-25
实施日期:2016-11-01
作废日期:    -  -
代替标准:GB/T 13539.4-2009
采用标准:IEC 60269-4-2012,IDT
归口单位:全国熔断器标准化技术委员会
起草单位:上海电器科学研究院
范围:本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体,该熔断体适用于标称电压不超过交流1000V或直流1500V的电路。如适用,还可用于更高的标称电压的电路。
文件格式:PDF
文件大小:2.91MB
文件页数:44
(以上信息更新时间为:2019-03-27)

标准全文下载:
GB_T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分_半导体设备保护用熔断体的补充要求.pdf (2.91 MB)

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