标准号：GB/T 32189-2015
实施状态：现行
中文名称：氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法
英文名称：Test method for surface roughness of GaN single crystal substrate by atomic force microscope
组织分类：GB
中标分类：H21
ICS分类：77.040
标准分类：CN
发布日期：2015-12-10
实施日期：2016-11-01
作废日期： - -
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会;全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
起草单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
范围：本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于10 nm的氮化镓单晶衬底。其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前,需经测试双方协商达成一致。
文件格式：PDF
文件大小：1.05MB
文件页数：12
（以上信息更新时间为：2019-03-28）
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GB_T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法.pdf
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