标准号：SJ/T 11490-2015
实施状态：现行
中文名称：低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
英文名称：Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density gallium arsenide wafers
组织分类：SJ
中标分类：H83
ICS分类：29.045
标准分类：QT
发布日期：2015-04-30
实施日期：2015-10-01
作废日期： - -
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心
范围：本标准规定了低位错密度砷化镓(GaAs)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于直径2英寸和3英寸且EPD小于5000/cm2的圆形GaAs晶片的EPD的测量。
文件格式：PDF
文件大小：968.32KB
文件页数：8
（以上信息更新时间为：2019-03-31）
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SJ_T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法.pdf
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