标准号：SJ/T 11492-2015
实施状态：现行
中文名称：光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
英文名称：Test methods for measurement of composition of gallium arsenide phosphide wafers by photoluminescence
组织分类：SJ
中标分类：H83
ICS分类：29.045
标准分类：QT
发布日期：2015-04-30
实施日期：2015-10-01
归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会
起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心
范围：本标准规定了采用光致发光测试系统对表面经过处理的磷镓砷(GaAs1-xPx)晶片组分进行测试的方法。本标准适用于气相外延生长的,光致发光峰(λPL)在640nm～670nm范围内时,对应磷的摩尔分数为36%到42%的n型GaAs1-xPx晶片。
文件格式：PDF
文件大小：1.73MB
文件页数：12
（以上信息更新时间为：2019-03-31）
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