标准号：SJ/T 11494-2015
实施状态：现行
中文名称：硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法
英文名称：Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities
组织分类：SJ
中标分类：H82
ICS分类：29.045
标准分类：QT
发布日期：2015-04-30
实施日期：2015-10-01
作废日期： - -
归口单位：全国半导体设备与材料标准化技术委员会
起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心
范围：本标准规定了硅单晶中硼、磷杂质的光致发光测试方法。本标准适用于低位错密度(＜500个/cm^2)硅单晶中导电性杂质硼、磷含量的测定,同时也适用于检测硅单晶中含量1×10^11at.cm^-3～5×10^15at.cm^-3的各种电活性杂质。
文件格式：PDF
文件大小：2.11MB
文件页数：12
（以上信息更新时间为：2019-03-31）
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SJ_T 11494-2015 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法.pdf
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