标准号：GB/T 31351-2014
实施状态：现行
中文名称：碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
英文名称：Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers
组织分类：GB
中标分类：H26
ICS分类：77.040.99
标准分类：CN
发布日期：2014-12-31
实施日期：2015-09-01
作废日期： - -
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会;全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
起草单位：北京天科合达蓝光半导体有限公司
范围：本标准规定了4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片的徽管密度的无损检测方法。本标准适用于4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量。
文件格式：PDF
文件大小：401.15KB
文件页数：7
（以上信息更新时间为：2019-04-01）
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