GB_T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法.pdf

标准号：GB/T 25188-2010
实施状态：现行
中文名称：硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
英文名称：Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
组织分类：GB
中标分类：G04
ICS分类：71.040.40
标准分类：CN
发布日期：2010-09-26
实施日期：2011-08-01
归口单位：全国微束分析标准化技术委员会
起草单位：中国科学院化学研究所
范围：本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法,即X射线光电子能谱法(XPS)。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量。通常,本标准适用的氧化硅层厚度不大于6nm。
文件格式：PDF
文件大小：320.28KB
文件页数：10
（以上信息更新时间为：2019-04-11）

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