GB_T 24576-2009 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法.pdf

标准号：GB/T 24576-2009
实施状态：现行
中文名称：高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
英文名称：Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction
组织分类：GB
中标分类：H80
ICS分类：29.045
标准分类：CN
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
采用标准：SMEI M63-0306,IDT
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心
范围：本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AIGaAs,外延层中Al含量的试验方法。本方法适用于在未掺杂GaAs衬底＜001＞方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定,使用本方法测量Al元素含量时,AIGaAs外延层厚度应大于300 nm。
文件格式：PDF
文件大小：329.36KB
文件页数：9
（以上信息更新时间为：2019-04-13）

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