SJ 50033/86-1995 半导体分立器件CS5114~CS5116型硅P沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

[复制链接]
查看3405 | 回复3 | 2010-10-25 11:32 | 显示全部楼层 |阅读模式
标准号:SJ 50033/86-1995
实施状态:现行
中文名称:半导体分立器件CS5114~CS5116型硅P沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
英文名称:Semiconductor discrete device. Detail specification for type CS5114~CS5116 silicon P-channel deplition mode field-effect transistor
组织分类:SJ
中标分类:L42
标准分类:QT
发布日期:1995-05-25
实施日期:1995-12-01
被替代标准:
代替标准:
归口单位:中国电子技术标准化研究所
起草单位:中国电子技术标准化研究所
范围:本规范规定了CS5114~CS5116型硅P沟道耗尽型结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
文件格式:PDF
文件大小:1.58MB
文件页数:10
(以上信息更新时间为:2019-05-04)

标准全文下载:
SJ 50033_86-1995 半导体分立器件CS5114~CS5116型硅P沟道耗尽型场效应晶体管详细规范.pdf (1.58 MB)

使用道具 举报