收藏本站
开启辅助访问 切换到窄版
麦田学社 › 标签 › 场效应晶体管

tag 标签: 场效应晶体管

相关帖子

 版块
SJ 50033.51-1994 半导体分立器件.CS0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范 attachment 技术资料
QJ 2617-1994 微波场效应晶体管(微波FET)管壳验收规范 attachment 技术资料
SJ 20011-1992 半导体分立器件 GP,GT和GCT级 CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 attachment 技术资料
SJ 20013-1992 半导体分立器件 GP,GT和GCT级 CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管 attachment 技术资料
SJ 20061-1992 半导体分立器件 CS146型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 attachment 技术资料
SJ 20184-1992 半导体分立器件 CS3821、3822、3823型场效应晶体管详细规范 attachment 技术资料
SJ 50033/38-1994 半导体分立器件 CS4856～CS4861型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 attachment 技术资料
SJ 50033/42-1994 半导体分立器件 CS0467型砷化镓微波场效应晶体管详细规范 attachment 技术资料
SJ 50033/78-1995 半导体分立器件CS0464型砷化镓微波场效应晶体管详细规范 attachment 技术资料
SJ 50033/79-1995 半导体分立器件CS0536型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 attachment 技术资料
SJ 50033/80-1995 半导体分立器件CD0513型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 attachment 技术资料
SJ 50033/81-1995 半导体分立器件CS0524型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 attachment 技术资料
SJ 50033/83-1995 半导体分立器件CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管详细规范 attachment 技术资料
SJ 50033/84-1995 半导体分立器件CS140型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管详细规范 attachment 技术资料
SJ 50033/86-1995 半导体分立器件CS5114～CS5116型硅P沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 attachment 技术资料
SJ 50033/87-1995 半导体分立器件CS4091～CS4093型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 attachment 技术资料
SJ 50033/88-1995 半导体分立器件CS6760和CS6762型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范 attachment 技术资料
SJ 50033/89-1995 半导体分立器件CS6768和CS6770型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范 attachment 技术资料
SJ 50033/106-1996 半导体分立器件CS 203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范 attachment 技术资料
SJ 50033/119-1997 半导体分立器件 CS204型砷化镓微波功率 场效应晶体管详细规范 attachment 技术资料
更多...