SJ 50033/84-1995 半导体分立器件CS140型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管详细规范

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查看4058 | 回复1 | 2010-11-15 15:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
标准号:SJ 50033/84-1995
实施状态:现行
中文名称:半导体分立器件CS140型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管详细规范
英文名称:Semiconductor discrete device. Detail specification for type CS140 silicon N-channel MOS enhancement mode field-effect transistor
组织分类:SJ
中标分类:L42
标准分类:QT
发布日期:1995-05-25
实施日期:1995-12-01
被替代标准:
代替标准:
归口单位:中国电子技术标准化研究所
起草单位:中国电子技术标准化研究所
范围:本规范规定了CS140型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
文件格式:PDF
文件大小:1.70MB
文件页数:11
(以上信息更新时间为:2019-05-04)

标准全文下载:
SJ 50033_84-1995 半导体分立器件CS140型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管详细规范.pdf (1.7 MB)

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