标准号：SJ 50033/83-1995
实施状态：现行
中文名称：半导体分立器件CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管详细规范
英文名称：Semiconductor discrete device. Detail specification for type CS139 silicon P-channel MOS enhancement mode field-effect transistor
组织分类：SJ
中标分类：L42
标准分类：QT
发布日期：1995-05-25
实施日期：1995-12-01
被替代标准：
代替标准：
归口单位：中国电子技术标准化研究所
起草单位：中国电子技术标准化研究所
范围：本规范规定了CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
文件格式：PDF
文件大小：1.70MB
文件页数：11
（以上信息更新时间为：2019-05-04）
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SJ 50033_83-1995 半导体分立器件CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管详细规范.pdf
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