标准号：SJ 21493-2018
实施状态：现行
中文名称：碳化硅外延片表面缺陷测试方法
英文名称：Test method of surface defects for silicon carbide epitaxial wafers
发布日期：2018-12-29
实施日期：2019-03-01
归口单位：工业和信息化部电子第四研究院
起草单位：中国电子科技集团公司第五十五研究所
文件格式：PDF
文件大小：3.05MB
文件页数：11
（以上信息更新时间为：2020-03-13）
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SJ 21493-2018 碳化硅外延片表面缺陷测试方法.pdf
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