标准号：IEC 60747-8-1-1987
实施状态：作废
中文名称：半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第1节:5W、1GHz以下的单栅场效应晶体管空白详细规范
英文名称：Semiconductor devices - Discret devices. Part 8: Field-effect transistors. Blank detail specification for single-gate field-effect transistors, up to 5 W and 1 GHz.
发布日期：1987
采用标准：DIN IEC 60747-8-1-1991,IDT;BS QC 750112-1988,IDT;UTE C96-090U-1989,IDT;SEV-ASE 3608-8-1-1989,IDT;DS/IEC 747-8-1-1989,IDT
起草单位：IEC/TC 47
标准简介：Applicable to quality assessment for field-effect transistors. Gives specific requirements (included in QC 750112 of the IECQ system), represents the blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5 W and 1 GHz.
文件格式：PDF
文件大小：1.42MB
文件页数：38
（以上信息更新时间为：2019-11-25）
IEC 60747-8-1-1987 半导体器件 分立器件 第8部分_场效应晶体管 第1节_5W、1GHz以下的单栅场效应晶体管空白详细规范.pdf
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