标准号：SJ/T 2658.6-2015
实施状态：现行
中文名称：半导体红外发射二极管测量方法 第6部分:辐射功率
英文名称：Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode. Part 6:Radiant power
组织分类：SJ
中标分类：L53
ICS分类：31.080
标准分类：QT
发布日期：2015-10-10
实施日期：2016-04-01
作废日期： - -
代替标准：SJ 2658.6-1986
归口单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院
起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院
范围：本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射功率的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
文件格式：PDF
文件大小：3.57MB
文件页数：9
（以上信息更新时间为：2019-03-29）
标准全文下载：
SJ_T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分_辐射功率.pdf
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