标准号：SJ/T 11503-2015
实施状态：现行
中文名称：碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法
英文名称：Test methods for measuring surface roughness of polished monocrystalline silicon carbide wafers
组织分类：SJ
中标分类：H83
ICS分类：29.045
标准分类：QT
发布日期：2015-04-30
实施日期：2015-10-01
作废日期： - -
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所
范围：本标准规定了测试碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的方法,包括表面轮廓仪法和原子力显微镜法。本标准适用于碳化硅单品抛光片表面粗糙度的测试。其中,原子力显微镜法仅适用于经过化学机械抛光或光学抛光且表面粗糙度的起伏在零点几微米范围内的碳化硅单晶抛光片。
文件格式：PDF
文件大小：1.82MB
文件页数：12
（以上信息更新时间为：2019-03-31）
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