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GB_T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法.pdf

 

GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法:
标准号：GB/T 11073-2007
实施状态：现行
中文名称：硅片径向电阻率变化的测量方法
英文名称：Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
组织分类：GB
中标分类：H17
ICS分类：77.040.01
标准分类：CN
发布日期：2007-09-11
实施日期：2008-02-01
被替代标准：
代替标准：GB/T 11073-1989
采用标准：ASTM F81-2001,MOD
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
起草单位：峨嵋山半导体材料厂
范围：本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。
本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1X10-3Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。
文件格式：PDF
文件大小：497.76KB
文件页数：14
（以上信息更新时间为：2019-04-17）

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