标准号：SJ/T 11471-2014
实施状态：现行
中文名称：发光二极管外延片测试方法
英文名称：Measurement methods for epitaxial wafers of light-emitting diodes
组织分类：SJ
中标分类：H83
ICS分类：29.045
标准分类：QT
发布日期：2014-10-14
实施日期：2015-04-01
作废日期： - -
归口单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院
起草单位：上海蓝光科技有限公司
范围：本标准规定了可见光发光二极管外延片的几何参数、表面缺陷、结构参数及光电参数的测试方法。本标准适用于镓砷磷系、镓铝砷系、铝镓铟磷系及铝镓铟氮系外延片。
文件格式：PDF
文件大小：4.63MB
文件页数：11
（以上信息更新时间为：2019-04-02）
标准全文下载：
SJ_T 11471-2014 发光二极管外延片测试方法.pdf
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