JC/T 2133-2012 半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的测定 —电感耦合等离子体原子发射光谱法

显示全部楼层 · 2012-12-24 09:35

标准号：JC/T 2133-2012
实施状态：现行
中文名称：半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的测定 —电感耦合等离子体原子发射光谱法
英文名称：Determination of impurities in silica sol for polishing solution in semiconductor industry. Inductively coupled plasma atomic emission spectrometric method
组织分类：JC
中标分类：C14
ICS分类：71.040
标准分类：QT
发布日期：2012-12-28
实施日期：2013-06-01
归口单位：全国工业陶瓷标准化技术委员会功能陶瓷分技术委员会
起草单位：中国科学院上海硅酸盐研究所
范围：本标准规定了采用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的方法。本标准适用于半导体化学机械抛光(CMP)中抛光液用的各种硅溶胶。杂质元素包括:铝、钡、钙、铬、铜、铁、钾、镁、锰、钠、镍、钛、锌、锆等14中元素。
文件格式：PDF
文件大小：328.95KB
文件页数：11
（以上信息更新时间为：2019-04-07）

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JC/T 2133-2012 半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的测定 —电感耦合等离子体原子发射光谱法

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