SJ 20744-1999 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则

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查看6327 | 回复4 | 2010-11-5 13:39 | 显示全部楼层 |阅读模式
标准号:SJ 20744-1999
实施状态:现行
中文名称:半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则
英文名称:General rule of infrared absorption spectral analysis for the impurity concentration in semiconductor materials
组织分类:SJ
中标分类:H80;L90
标准分类:QT
发布日期:1999-11-10
实施日期:1999-12-01
被替代标准:
代替标准:
归口单位:中国电子技术标准化研究所
起草单位:电子工业部第四十六研究所
范围:本标准规定了半导体材料中杂质含量的红外吸收分析方法的术语、基本原理、仪器设备、样品制备、测量条件、测量步骤和测量结果的计算。本标准适用于在红外光谱区为透明的并在该区域产生杂质吸收带的任何半导体单晶材料红外分析方法。
文件格式:PDF
文件大小:858.96KB
文件页数:5
(以上信息更新时间为:2019-04-30)

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SJ 20744-1999 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则.pdf (858.96 KB)

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