SJ 2215.7-1982 半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压的测试方法

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查看5156 | 回复5 | 2010-10-11 22:30 | 显示全部楼层 |阅读模式
标准号:SJ 2215.7-1982
实施状态:已作废
中文名称:半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压的测试方法
组织分类:SJ
中标分类:L54
标准分类:QT
发布日期:1982-11-30
实施日期:1983-07-01
作废日期:2015-10-01
被替代标准:SJ/T 2215-2015
归口单位:
起草单位:
范围:本标准适合于光耦合器集电极一发射极反向击穿电压V(BR)(CEO)的测试。
文件格式:PDF
文件大小:139.18KB
文件页数:1
(以上信息更新时间为:2019-05-12)

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SJ 2215.7-1982 半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压的测试方法.pdf (139.18 KB)

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