收藏本站
开启辅助访问
切换到窄版
登录
立即注册
只需一步,快速开始
首页
搜索
本版
帖子
用户
麦田学社
»
首页
›
技术分享
›
技术资料
›
SJ 2214.6-1982 半导体光敏三极管集电极-发射极反向击穿 ...
返回列表
发新帖
SJ 2214.6-1982 半导体光敏三极管集电极-发射极反向击穿电压的测试方法
[复制链接]
4802
|
5
|
2010-6-1 10:38
|
显示全部楼层
|
阅读模式
标准号:
SJ 2214.6-1982
实施状态:
已作废
中文名称:
半导体光敏三极管集电极-发射极反向击穿电压的测试方法
组织分类:
SJ
中标分类:
L54
标准分类:
QT
发布日期:
1982-11-30
实施日期:
1983-07-01
作废日期:
2015-10-01
被替代标准:
SJ/T 2214-2015
归口单位:
无
起草单位:
无
范围:
本标准适用于光敏三极管集电极一发射极反向击穿电压V(BR)CEO的测试。
文件格式:
PDF
文件大小:
142.80KB
文件页数:
1
(以上信息更新时间为:2019-05-12)
标准全文下载:
SJ 2214.6-1982 半导体光敏三极管集电极-发射极反向击穿电压的测试方法.pdf
(142.8 KB)
2010-6-1 10:38 上传
点击文件名下载附件
221461982
,
半导体
,
光敏
,
集电极
,
发射
相关帖子
•
GB/T 42709.5-2023 半导体器件 微电子机械器件 第5部分:射频MEMS开关
•
GB/T 42706.5-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第5部分:芯片和晶圆
•
GB/T 15879.604-2023 半导体器件的机械标准化 第6-4部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 焊球阵列(BGA)封装的尺寸测量方法
•
GB/T 4937.27-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第27部分:静电放电(ESD)敏感度测试 机器模型(MM)
•
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管
•
GB/T 20870.10-2023 半导体器件 第16-10部分:单片微波集成电路技术可接收程序
•
GB/T 42706.2-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第2部分:退化机理
•
GB/T 42706.1-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第1部分:总则
网站所有内容均来自于网络,仅供个人学习、交流。
使用道具
举报
返回列表
技术资料
数据、文献
报告、手册
图纸、模型、素材
技术动态
技术求助
热门内容
DB11/T 2285-2024 水果生产质量安全控制规
GB 43284-2023 限制商品过度包装要求 生鲜
GB 37219-2023 充气式游乐设施安全规范
GB 4789.18-2024 食品安全国家标准 食品微
DB5106/T 32-2024 大型构件机械加工工艺路
DB5118/T 33-2024 旅游民宿等级划分与评定
DB23/T 3722-2024 使用领域消防产品档案管
LS/T 8005-2023 农户小型粮仓建造技术规范
HJ 511-2024 生态环境信息化标准体系指南
GB 2760-2024 食品安全国家标准 食品添加剂
DB23/T 3697-2024 区块链项目安全评估指南
DB50/T 1649-2024 餐饮业菜品信息描述规范