标准号：SJ 20014-1992
实施状态：现行
中文名称：半导体分立器件 GP,GT和GCT级 3CG110,3DG130,3DG182 型硅小功率晶体管详细规范
英文名称：Semiconductor discrete device. Detail specification for PNP silicon low-power transistor for types 3CG110 GP、GT and types GCT classes
发布日期：1992-02-01
实施日期：1992-06-01
被替代标准：
代替标准：
归口单位：中国电子技术标准化研究所
起草单位：中国电子技术标准化研究所
标准简介：本规范规定了3CG11OB、3CG11OC型PNP硅小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。每种器件均按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT)。
文件格式：PDF
文件大小：1.62MB
文件页数：11
（以上信息更新时间为：2019-05-07）
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SJ 20014-1992 半导体分立器件 GP,GT和GCT级 3CG110,3DG130,3DG182 型硅小功率晶体管详细规范.pdf
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