SJ 20012-1992 半导体分立器件 GP,GT和GCT级 CS4型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

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标准号:SJ 20012-1992
实施状态:现行
中文名称:半导体分立器件 GP,GT和GCT级 CS4型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
英文名称:Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon N-channel depletion mode field-effect transistor of types CS4 GP, GT and GCT classes
发布日期:1992-02-01
实施日期:1992-05-01
被替代标准:
代替标准:
归口单位:中国电子技术标准化研究所
起草单位:中国电子技术标准化研究所
标准简介:本规范规定了CS4型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33-85《半导体分立器件总规范》的规定提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
文件格式:PDF
文件大小:1.68MB
文件页数:11
(以上信息更新时间为:2019-05-07)

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