SJ/T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法第13部分：辐射功率温度系数

显示全部楼层 · 2015-10-11 06:28

标准号：SJ/T 2658.13-2015
实施状态：现行
中文名称：半导体红外发射二极管测量方法第13部分：辐射功率温度系数
英文名称：Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode
. Part 13: Temperature coefficient for radiant power
组织分类：SJ
中标分类：L53
ICS分类：31.080
标准分类：QT
发布日期：2015-10-10
实施日期：2016-04-01
作废日期： - -
代替标准：SJ 2658.13-1986
归口单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院
起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院
范围：本部分规定了半导体红外发射二极管辐射功率温度系数的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
文件格式：PDF
文件大小：2.25MB
文件页数：6
（以上信息更新时间为：2019-03-29）

标准全文下载：

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SJ/T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数

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